Окружной суд Техаса признал Samsung Electronics виновной в нарушении патента, принадлежащего патентному бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US), которое базируется в пригороде Далласа. Теперь южнокорейскому производителю придется заплатить штраф в $400 млн, пишет "Ъ".
Как сообщает агентство Bloomberg, речь идет о патенте на технологию FinFet — транзисторе, который позволяет значительно повысить производительность микрочипа, при этом снизив его энергопотребление. Согласно заявлению KAIST IP US, изначально южнокорейский производитель скептически отнесся к изобретению, посчитав его незначительным. Однако после того, как на него обратил внимание главный конкурент Samsung на рынке полупроводников — Intel, корейская компания тоже занялась разработкой этой технологии, нарушив тем самым соглашение между Intel и KAIST. Южнокорейский производитель настаивает на том, что работал над созданием FinFet вместе с Корейским институтом, а значит, не мог нарушить прав на изобретение. Компания намерена подать апелляцию на решение окружного суда Техаса.
